氩离子抛光技术/离子研磨CP（Cross section Polisher）用于SEM、EPMA、EBSD等样品的制备。依靠离子束轰击制备样品剖面，可以获得表面平滑的样品，观察范围大、清洁而且适用于几乎所有材料，而不会对样品造成机械损害。去除损伤层，从而得到高质量样品。而机械研磨抛光制备出来的样品表面粗糙不平、坑坑洼洼、划痕损伤多、界限不清。
相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点：
（1）对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。
（2）比FIB方法的抛光面积更大（~1mm以上）
针对不同的样品的硬度，设置不同的电压、电流、离子枪的角度、离子束窗口，控制氩离子作用的深度、强度、角度、这样较精准的参数，有利于制备成研究者理想的材料样品，这样的样品不仅表面光滑无损伤，而且还原材料内部的真实结构。